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주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM

Name: 주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: SI2301CDS-T1-GE3
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

제품 상세정보

원래 장소: 미국

브랜드 이름: VISHAY

모델 번호: SI2301CDS-T1-GE3

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제품 상세정보

제품 설명

강조하다: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                주식 비샤이 IC, Ic 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI, Ic 메모리 칩 BOM
                              

상품 카테고리:	비샤이	시리즈:	SI2301CDS-T1-GE3
증가하는 방식:	SMD / SMT	패키지 / 건:	TQFP-64
핵심:	AVR	프로그램 메모리 규모:	16 kB
데이터 버스 폭:	8비트	ADC 결의안:	10개 비트
최대 클록 주파수:	16 마하즈	I/Os의 수:	54 입출력
데이터 램 크기:	1 kB	공급 전압 - 민:	1.8 Ｖ
공급 전압 - 맥스:	5.5 Ｖ	최소 동작 온도:	- 40 Ｃ
최대 작업 온도:	+ 85 Ｃ	패키징:	마우스릴
브랜드:	비샤이	데이터 램 종류:	SRAM
데이터 롬 크기:	512 비

상품 카테고리:	비샤이
시리즈:	SI2301CDS-T1-GE3
증가하는 방식:	SMD / SMT
패키지 / 건:	TQFP-64
핵심:	AVR
프로그램 메모리 규모:	16 kB
데이터 버스 폭:	8비트
ADC 결의안:	10개 비트
최대 클록 주파수:	16 마하즈
I/Os의 수:	54 입출력
데이터 램 크기:	1 kB
공급 전압 - 민:	1.8 Ｖ
공급 전압 - 맥스:	5.5 Ｖ
최소 동작 온도:	- 40 Ｃ
최대 작업 온도:	+ 85 Ｃ
패키징:	마우스릴
브랜드:	비샤이
데이터 램 종류:	SRAM
데이터 롬 크기:	512 비

주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM

주식 IC (전자 부품 메모리 칩 지지체 IC BOM) IS62WV51216BLL-55TLI 주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM 0

주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM 1

주식 비샤이 IC IC 메모리 칩 IS62WV51216BLL-55TLI 지원 IC BOM 2

MT41K256M16TW-107 그것 :Ｐ

디지키 부품번호
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - 테이프 & 릴 (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프 (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조사
비샤이 실아이코닉스
제조 상품 번호
SI2301CDS-T1-GE3
기술
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
상세한 설명
P-채널 20 Ｖ 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)

제조사 :	비샤이
상품 카테고리 :	MOSFET
로에스 :	세부 사항
기술 :	Si
증가하는 방식 :	SMD / SMT
패키지 / 건 :	SOT-23-3
트랜지스터 극성 :	P-채널
채널 수 :	1개 채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압 :	20 Ｖ
Id - 연속배수 경향 :	3.1 A
Rds에 - 드레인-소스 저항 :	112 모엠에스
브그스 - 게이트-소스 전압 :	- 8 Ｖ, + 8 Ｖ
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압 :	1 Ｖ
큐그 - 게이트전하 :	3.3 nC
최소 동작 온도 :	- 55 Ｃ
최대 작업 온도 :	+ 150 Ｃ
Pd - 전력 소모 :	1.6 Ｗ
채널 모드 :	향상
상표명 :	트렌치페트
시리즈 :	SI2
패키징하는 것 :	릴
패키징하는 것 :	컷 테이프
패키징하는 것 :	마우스릴
브랜드 :	비샤이 반도체
구성 :	단일
강하 시간 :	10 나노 초
상품 종류 :	MOSFET
상승 시간 :	35 나노 초
양 공장 팩 :	3000
하위범주 :	MOSFET
트랜지스터형 :	1 P-채널
전형적 정지 지연 시간 :	30 나노 초
전형적 턴 온 지연 시간 :	11 나노 초
부분 # 가칭 :	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
단일 가중치 :	0.000282 온스

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FAQ

Q1 :IC BOM의 인용에 대하여?  A1 :회사는 국내외에서 원래 집적 회로 제조사들의 조달 채널과 고객들을 위해 고품질, 저비용 전자 부품을 선택하기 위한 전문적 제품 솔루션 분석 팀을 가지고 있습니다.
Q2 :PCB와 PCBA 솔루션을 위한 인용?
A2 : 회사의 프로팀은 해결책이 고객과 각각 전자 구성품을 위한 매개 변수 요구사항에 의해 제공한 PCB와 PCBA의 활용 범위를 분석하고, 궁극적으로 고객들에게 고품질이고 저비용 인용 해결책을 제공할 것입니다.
Q3 :완성품에 대한 칩 설계에 대하여?
A3 : 우리는 웨이퍼 설계, 웨이퍼 생산, 웨이퍼 검사, IC 패키징과 통합과 IC 제품 정밀 검사 서비스의 전체 세트를 가집니다.
Q4 :우리의 회사는 최소 명령량 (MOQ) 요구를 가지고 있습니까?
A4 : 아니오, 우리는 MOQ 요구조건을 가지고 있지 않습니다, 대량 생산에 원형에서 시작하는 당신의 프로젝트를 지원할 수 있습니다.
Q5 :소비자 정보가 유출되지 않는다는 것을 보증하는 방법?
A5 : 우리는 고객 측면 지방법에 의해 NDA 부작용에 서명하고 싶어하고 고객 데이터를 높은 신뢰할 수 있는 수준에 보존하도록 유망합니다.

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