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메릴칩 핫 판매 IC 칩 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 통합 회로 플래시 메모리 EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P

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제품 설명

강조하다:

시리즈:	MT41K256M16TW-107 IT:P, MT41K256M16TW-107 IT:P	설명:	MT41K256M16TW-107 그것 :Ｐ
사업자부 개수:	MT41K256M16TW-107 그것 :Ｐ	종류:	마이크로컨트롤러
제조업자:	미크론	날짜 코드를 제조하기:	TSSOP-20
모듈 / 보드형:	표준	핵심 프로세서:	표준, ARMR CortexR-M4
공동 프로세서:	표준	속도:	표준
순간 사이즈:	표준	RAM 사이즈:	표준
접속구의 형태:	표준	사이즈 / 차원:	표준
포장:	표준	연결성:	캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, 캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신
주변 기기:	표준	입출력의 수:	표준
프로그램 메모리 규모:	표준	프로그램 메모리 종류:	표준
EEPROM 사이즈:	표준	전압 - 공급 (Vcc/Vdd):	표준
데이터 변환기:	표준	오실레이터형:	표준
제어기 시리즈:	표준	인터페이스:	표준
전압 - 공급:	표준	패키지 / 케이스:	표준
핵심 / 버스 폭의 수:	표준	그래픽 가속:	표준
디스플레이와 인터페이스 제어기들:	표준	USB:	표준
전압 - 입출력:	표준	크로스 레퍼런스:	표준
코어 크기:	나에게 물어보세요	제품 종류:	모터 / 모션 / 점화 컨트롤러 및 드라이버
빈도:	168MHz	수명 상태:	활성(마지막 업데이트: 7개월 전)
장착형:	표면 마운트	선박:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트
보증:	1년	항구:	셰인젠

시리즈:	MT41K256M16TW-107 IT:P, MT41K256M16TW-107 IT:P
설명:	MT41K256M16TW-107 그것 :Ｐ
사업자부 개수:	MT41K256M16TW-107 그것 :Ｐ
종류:	마이크로컨트롤러
제조업자:	미크론
날짜 코드를 제조하기:	TSSOP-20
모듈 / 보드형:	표준
핵심 프로세서:	표준, ARMR CortexR-M4
공동 프로세서:	표준
속도:	표준
순간 사이즈:	표준
RAM 사이즈:	표준
접속구의 형태:	표준
사이즈 / 차원:	표준
포장:	표준
연결성:	캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, 캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신
주변 기기:	표준
입출력의 수:	표준
프로그램 메모리 규모:	표준
프로그램 메모리 종류:	표준
EEPROM 사이즈:	표준
전압 - 공급 (Vcc/Vdd):	표준
데이터 변환기:	표준
오실레이터형:	표준
제어기 시리즈:	표준
인터페이스:	표준
전압 - 공급:	표준
패키지 / 케이스:	표준
핵심 / 버스 폭의 수:	표준
그래픽 가속:	표준
디스플레이와 인터페이스 제어기들:	표준
USB:	표준
전압 - 입출력:	표준
크로스 레퍼런스:	표준
코어 크기:	나에게 물어보세요
제품 종류:	모터 / 모션 / 점화 컨트롤러 및 드라이버
빈도:	168MHz
수명 상태:	활성(마지막 업데이트: 7개월 전)
장착형:	표면 마운트
선박:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트
보증:	1년
항구:	셰인젠

메릴칩 핫 판매 IC 칩 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 통합 회로 플래시 메모리 EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P

제품 매개 변수

MT41K256M16TW-107 IT:P

DDR3 SDRAM는 고속 운영을 달성하기 위해 이중 데이터 레이트 아키텍처를 사용합니다. 이중 데이터 레이트 아키텍처는
8n-prefetch 아키텍처, I/O 핀에서 시계 사이클 당 두 개의 데이터 단어를 전송하도록 설계된 인터페이스
DDR3 SDRAM에 대한 단일 읽기 또는 쓰기 작업은 실제로 단일 8n 비트 너비, 4 시간 사이클 데이터 전송으로 구성됩니다.
내부 DRAM 코어와 8 개의 n-비트 너비, I/O 핀에서 반시계 데이터 전송
디퍼셜 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 는 DDR3 SDRAM 입력에서 데이터 캡처에 사용하기 위해 데이터와 함께 외부로 전송됩니다.
DQS는 WRITE의 데이터와 중앙에 정렬되어 있습니다.

제조사:	미크론 기술
제품 카테고리	DRAM
RoHS:	세부 사항
종류:	SDRAM - DDR3L
장착 방식:	SMD/SMT
패키지 / 케이스:	FBGA-96
데이터 버스 너비:	16비트
조직:	256 M x 16
메모리 크기:	4Gbit
최대 시계 주파수:	933 MHz
접속 시간:	20 ns
공급 전압 - 최대:	1.45V
공급 전압 - 분:	1.283V
공급 전류 - 최대:	46mA
최소 작동 온도:	- 40C
최대 작동 온도:	+ 95 C
시리즈:	MT41K
포장:	트레이
브랜드:	미크론
습도에 민감함:	네
제품 종류:	DRAM
공장 포장량:	1224
하위 분류:	메모리 및 데이터 저장
단위 무게:	0.128468 온스