제품 상세정보
원래 장소: 광둥, 중국
브랜드 이름: original
모델 번호: 1N4448
지불과 운송 용어
최소 주문 수량: 10개
가격: $0.20/pieces 10-99 pieces
포장 세부 사항: 안티 스태틱 패키징
공급 능력: 10000개 부분 / 부분마다 주
장착형: |
153821123 |
설명: |
다이오드 젠 퍼프 100V 200MA DO35 |
종류: |
IC 칩 |
D/C: |
/ |
패키지 종류: |
표면 마운트 |
적용: |
다이오드 - 범용, 전력, 스위칭 |
공급자 유형: |
다른 것 |
이용 가능한 매체: |
다른 것 |
맥스. 순방향 전압: |
/ |
맥스. 역 전압: |
/ |
맥스. 순방향 전류: |
/ |
맥스. 역류: |
/ |
다이오드형: |
표준 |
기술: |
/ |
전압 - 성수기 반대 (맥스): |
/ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
200mA |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
100mA에 있는 1V |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5uA @ 75V |
패키지 / 케이스: |
굴대인 DO-204AH, DO-35 |
다이오드 구조: |
/ |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
8327382 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
/ |
속도: |
소신호 =< 200mA (Io), 어떠한 속도 |
역회복 시간 (트르): |
4NS |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
0V, 1MHz에 있는 2pF |
경향 - 맥스: |
/ |
조건, Ｆ에 있는 저항: |
/ |
전력 소모 (맥스): |
/ |
용량비: |
/ |
용량 비율 조건: |
/ |
구성: |
/ |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): |
/ |
용인성: |
/ |
임피던스 (맥스) (즈스트): |
/ |
제품 :: |
스위칭 다이오드 |
회복 시간:: |
4 나노 초 |
순방향 전압 강하:: |
1.2 Ｖ |
최대 전력 손실:: |
350 mW |
작동 온도 범위:: |
- 55C ~ + 150C |
항구: |
셰인젠 |
장착형: |
153821123 |
설명: |
다이오드 젠 퍼프 100V 200MA DO35 |
종류: |
IC 칩 |
D/C: |
/ |
패키지 종류: |
표면 마운트 |
적용: |
다이오드 - 범용, 전력, 스위칭 |
공급자 유형: |
다른 것 |
이용 가능한 매체: |
다른 것 |
맥스. 순방향 전압: |
/ |
맥스. 역 전압: |
/ |
맥스. 순방향 전류: |
/ |
맥스. 역류: |
/ |
다이오드형: |
표준 |
기술: |
/ |
전압 - 성수기 반대 (맥스): |
/ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
200mA |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
100mA에 있는 1V |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5uA @ 75V |
패키지 / 케이스: |
굴대인 DO-204AH, DO-35 |
다이오드 구조: |
/ |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
8327382 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
/ |
속도: |
소신호 =< 200mA (Io), 어떠한 속도 |
역회복 시간 (트르): |
4NS |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
0V, 1MHz에 있는 2pF |
경향 - 맥스: |
/ |
조건, Ｆ에 있는 저항: |
/ |
전력 소모 (맥스): |
/ |
용량비: |
/ |
용량 비율 조건: |
/ |
구성: |
/ |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): |
/ |
용인성: |
/ |
임피던스 (맥스) (즈스트): |
/ |
제품 :: |
스위칭 다이오드 |
회복 시간:: |
4 나노 초 |
순방향 전압 강하:: |
1.2 Ｖ |
최대 전력 손실:: |
350 mW |
작동 온도 범위:: |
- 55C ~ + 150C |
항구: |
셰인젠 |
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