제품 상세정보
원래 장소: 광둥, 중국
브랜드 이름: original
지불과 운송 용어
최소 주문 수량: 100개 부분
가격: $21.70/pieces >=100 pieces
포장 세부 사항: Packaging: Tape & 포장: 테이프 및 앰프; Reel (TR) 릴(TR)
Package /
공급 능력: 1000개 부분 / 부분마다 일
사업자부 개수: |
K4G80325FC-HC25, K4G80325FC-HC25 |
종류: |
메모리 칩 |
설명: |
GDDR5 SGRAM |
전압 - 고장: |
/ |
주파수 - 스위칭: |
/ |
(와트)를 강화하세요: |
/ |
작동 온도: |
/ |
장착형: |
/ |
전압 - 공급(최소): |
/ |
전압 - 공급 (맥스): |
/ |
전압 - 출력: |
/ |
경향 - 출력 / 채널: |
/ |
빈도: |
/ |
신청서: |
범용 |
FET은 타이핑합니다: |
/ |
경향 - 출력 (맥스): |
/ |
경향 - 공급: |
/ |
전압 - 공급: |
/ |
주파수 - 최대: |
/ |
전원 - 맥스: |
/ |
용인성: |
/ |
기능: |
/ |
전압 공급 - 내부의: |
/ |
주파수 - 결산일 또는 센터: |
/ |
경향 - 누출 ((떨어져서) 있습니다) (맥스): |
/ |
고립된 전력: |
/ |
전압 - 차단: |
/ |
경향 - 낮은 출력 하이: |
/ |
경향 - 피크 출력: |
/ |
전압 - 포워드 (Vf) (Typ): |
/ |
경향 - DC 포워드 (조건) (맥스): |
/ |
입력 유형: |
/ |
출력 유형: |
/ |
전류 전달비 (민): |
/ |
전류 전달비 (맥스): |
/ |
전압 - 출력 (최대): |
/ |
전압 - OFF 상태: |
/ |
(민) 정전기 dV/dt: |
/ |
경향 - 주도하는 트리거 (Ift) (맥스): |
/ |
경향 - ON 상태 (그것 (RMS)) (맥스): |
/ |
임페던스: |
/ |
임피던스 - 균형적인 균형 잡히지 않은 /: |
/ |
학습 조직 주파수: |
/ |
RF 주파수: |
/ |
입력 범위: |
/ |
출력 전력: |
/ |
주파수대 (최저 / 높은 것): |
/ |
사양: |
/ |
사이즈 / 차원: |
/ |
변조 또는 프로토콜: |
/ |
인터페이스: |
/ |
전원 - 생산: |
/ |
메모리 용량: |
/ |
규약: |
/ |
변조: |
/ |
직렬 인터페이스: |
/ |
GPIO: |
/ |
이용한 IC / 부분: |
/ |
표준: |
/ |
스타일: |
/ |
기억 영역형: |
DRAM |
쓰기 가능 기억 장치: |
8GB |
저항 (오옴): |
/ |
크로스 레퍼런스: |
/ |
SPQ: |
1120 |
밀도: |
16K / 32ms |
단체.: |
16K / 32ms |
속도: |
8.0Gbps |
새로 고침: |
16K / 32ms |
패키지: |
170FBGA |
제품 상태: |
대량 생산 |
항구: |
심천/홍콩 |
사업자부 개수: |
K4G80325FC-HC25, K4G80325FC-HC25 |
종류: |
메모리 칩 |
설명: |
GDDR5 SGRAM |
전압 - 고장: |
/ |
주파수 - 스위칭: |
/ |
(와트)를 강화하세요: |
/ |
작동 온도: |
/ |
장착형: |
/ |
전압 - 공급(최소): |
/ |
전압 - 공급 (맥스): |
/ |
전압 - 출력: |
/ |
경향 - 출력 / 채널: |
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빈도: |
/ |
신청서: |
범용 |
FET은 타이핑합니다: |
/ |
경향 - 출력 (맥스): |
/ |
경향 - 공급: |
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전압 - 공급: |
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주파수 - 최대: |
/ |
전원 - 맥스: |
/ |
용인성: |
/ |
기능: |
/ |
전압 공급 - 내부의: |
/ |
주파수 - 결산일 또는 센터: |
/ |
경향 - 누출 ((떨어져서) 있습니다) (맥스): |
/ |
고립된 전력: |
/ |
전압 - 차단: |
/ |
경향 - 낮은 출력 하이: |
/ |
경향 - 피크 출력: |
/ |
전압 - 포워드 (Vf) (Typ): |
/ |
경향 - DC 포워드 (조건) (맥스): |
/ |
입력 유형: |
/ |
출력 유형: |
/ |
전류 전달비 (민): |
/ |
전류 전달비 (맥스): |
/ |
전압 - 출력 (최대): |
/ |
전압 - OFF 상태: |
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(민) 정전기 dV/dt: |
/ |
경향 - 주도하는 트리거 (Ift) (맥스): |
/ |
경향 - ON 상태 (그것 (RMS)) (맥스): |
/ |
임페던스: |
/ |
임피던스 - 균형적인 균형 잡히지 않은 /: |
/ |
학습 조직 주파수: |
/ |
RF 주파수: |
/ |
입력 범위: |
/ |
출력 전력: |
/ |
주파수대 (최저 / 높은 것): |
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사양: |
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사이즈 / 차원: |
/ |
변조 또는 프로토콜: |
/ |
인터페이스: |
/ |
전원 - 생산: |
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메모리 용량: |
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규약: |
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변조: |
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직렬 인터페이스: |
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GPIO: |
/ |
이용한 IC / 부분: |
/ |
표준: |
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스타일: |
/ |
기억 영역형: |
DRAM |
쓰기 가능 기억 장치: |
8GB |
저항 (오옴): |
/ |
크로스 레퍼런스: |
/ |
SPQ: |
1120 |
밀도: |
16K / 32ms |
단체.: |
16K / 32ms |
속도: |
8.0Gbps |
새로 고침: |
16K / 32ms |
패키지: |
170FBGA |
제품 상태: |
대량 생산 |
항구: |
심천/홍콩 |
저희가 보유한 칩 유형 | ||||||
집적 회로 전자 부품 | 비교기 IC | 인코더-디코더 | 터치 IC | |||
전압 레퍼런스 IC | 증폭기 | 리셋 감지기 IC | 전력 증폭기 IC | |||
적외선 처리 IC | 인터페이스 칩 | 블루투스 칩 | 부스트 및 벅 칩 | |||
시간 기준 칩 | 클럭 통신 칩 | 트랜시버 IC | 무선 RF IC | |||
칩 저항 | 저장 칩 2 | 이더넷 칩 | 집적 회로 전자 부품 | |||
