| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET | FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 제품 상태: | 구식 | 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 25 V | 장착형: | 구멍을 통해 | 패키지: | 테이프 및 상자(TB) | 시리즈: | - | 경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): | 10mA @ 15V | Mfr: | 1개 | 전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): | 500mV @ 10nA | 공급자의 장치 패키지: | TO-92-3 | 패키지 / 케이스: | TO-92-3 (TO-226AA) 형성된 리드인 TO-226-3 | 작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) | Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | - | 전원 - 맥스: | 625 mW | 저항 - RDS (계속): | 18옴 | 기본 제품 번호: | J110 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET | 
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 
| 제품 상태: | 구식 | 
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 25 V | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 패키지: | 테이프 및 상자(TB) | 
| 시리즈: | - | 
| 경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): | 10mA @ 15V | 
| Mfr: | 1개 | 
| 전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): | 500mV @ 10nA | 
| 공급자의 장치 패키지: | TO-92-3 | 
| 패키지 / 케이스: | TO-92-3 (TO-226AA) 형성된 리드인 TO-226-3 | 
| 작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) | 
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | - | 
| 전원 - 맥스: | 625 mW | 
| 저항 - RDS (계속): | 18옴 | 
| 기본 제품 번호: | J110 |