분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
FET은 타이핑합니다: |
P-채널 |
제품 상태: |
액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): |
30V |
장착형: |
구멍을 통해 |
패키지: |
가방 |
시리즈: |
- |
경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): |
15V에서 20mA |
Mfr: |
전미교원시험 전자공학, Inc |
전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): |
5V @ 10nA |
공급자의 장치 패키지: |
TO-92 |
패키지 / 케이스: |
TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
작동 온도: |
-55' C ~ 150' C (TJ) |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): |
5.5pF @ 10V |
전원 - 맥스: |
350 mW |
저항 - RDS (계속): |
85 오옴 |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
FET은 타이핑합니다: |
P-채널 |
제품 상태: |
액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): |
30V |
장착형: |
구멍을 통해 |
패키지: |
가방 |
시리즈: |
- |
경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): |
15V에서 20mA |
Mfr: |
전미교원시험 전자공학, Inc |
전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): |
5V @ 10nA |
공급자의 장치 패키지: |
TO-92 |
패키지 / 케이스: |
TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
작동 온도: |
-55' C ~ 150' C (TJ) |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): |
5.5pF @ 10V |
전원 - 맥스: |
350 mW |
저항 - RDS (계속): |
85 오옴 |