| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET | FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 제품 상태: | 액티브 | 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 25 V | 장착형: | 구멍을 통해 | 패키지: | 대용품 | 시리즈: | J309 | 경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): | 10V에서 12mA | Mfr: | 선 통합 시스템, Inc. | 전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): | 1V @ 1nA | 공급자의 장치 패키지: | TO-92 | 패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) | 작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) | Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 4pF @ 10V | 전원 - 맥스: | 350 mW | 저항 - RDS (계속): | 35 오옴 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET | 
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 25 V | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 패키지: | 대용품 | 
| 시리즈: | J309 | 
| 경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스): | 10V에서 12mA | 
| Mfr: | 선 통합 시스템, Inc. | 
| 전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS): | 1V @ 1nA | 
| 공급자의 장치 패키지: | TO-92 | 
| 패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) | 
| 작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) | 
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 4pF @ 10V | 
| 전원 - 맥스: | 350 mW | 
| 저항 - RDS (계속): | 35 오옴 |