| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 96A | 작동 온도 - 결합: | -40' C ~ 150' C | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25 V @ 100 a | 패키지: | 튜브 | 시리즈: | - | 다이오드 구조: | 독립적인 2 | 공급자의 장치 패키지: | SOT-227B | 역회복 시간 (트르): | 50 나노 초 | Mfr: | 익시스 | 기술: | 기준 | 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 600 V | 장착형: | 섀시 마운트 | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | dsei2x101 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 600V에서 3mA | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 96A | 
| 작동 온도 - 결합: | -40' C ~ 150' C | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25 V @ 100 a | 
| 패키지: | 튜브 | 
| 시리즈: | - | 
| 다이오드 구조: | 독립적인 2 | 
| 공급자의 장치 패키지: | SOT-227B | 
| 역회복 시간 (트르): | 50 나노 초 | 
| Mfr: | 익시스 | 
| 기술: | 기준 | 
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 600 V | 
| 장착형: | 섀시 마운트 | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | dsei2x101 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 600V에서 3mA |