분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
1A |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
500 mV @ 500 mA |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
X3-DSN1006-3 |
역회복 시간 (트르): |
8.6 나노 초 |
Mfr: |
다이오드 인코어레이트 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
3-XFDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
20 V |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
SDM1L20 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
20V에서 100μA |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
1A |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
500 mV @ 500 mA |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
X3-DSN1006-3 |
역회복 시간 (트르): |
8.6 나노 초 |
Mfr: |
다이오드 인코어레이트 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
3-XFDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
20 V |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
SDM1L20 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
20V에서 100μA |