제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 매우 낮은 IR Schottky Barrier re
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
5A |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
850mV @ 5A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
MBR10H150CT |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220AB |
Mfr: |
판지트 인터내셔널 인크 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
150 Ｖ |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
MBR10 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
500nA @ 150V |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
5A |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
850mV @ 5A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
MBR10H150CT |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220AB |
Mfr: |
판지트 인터내셔널 인크 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
150 Ｖ |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
MBR10 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
500nA @ 150V |
화면
화면
화면
화면
화면
화면
