분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
10A |
작동 온도 - 결합: |
-40°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
22V @ 10A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
빠른 2 |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
PG-TO220-3-1 |
역회복 시간 (트르): |
28 나노 초 |
Mfr: |
인피니온 테크놀로지 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 V |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
IDP20C65 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
650V에서 40μA |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
10A |
작동 온도 - 결합: |
-40°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
22V @ 10A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
빠른 2 |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
PG-TO220-3-1 |
역회복 시간 (트르): |
28 나노 초 |
Mfr: |
인피니온 테크놀로지 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 V |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
IDP20C65 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
650V에서 40μA |