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BAS16L-HG3-08

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: 다이오드 GP 100V 250MA DFN1006-2A

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
100 V에 있는 1 uA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1.25V @ 150mA
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Vr, F에 있는 전기 용량:
0V, 1MHz에 있는 0.36pF
공급자의 장치 패키지:
DFN1006-2A
역회복 시간 (트르):
4 나노 초
Mfr:
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
0402 (1006 측정)
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
100 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
250mA
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
BAS16
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
100 V에 있는 1 uA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1.25V @ 150mA
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Vr, F에 있는 전기 용량:
0V, 1MHz에 있는 0.36pF
공급자의 장치 패키지:
DFN1006-2A
역회복 시간 (트르):
4 나노 초
Mfr:
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
0402 (1006 측정)
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
100 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
250mA
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
BAS16
BAS16L-HG3-08
다이오드 100V 250mA 표면 장착 DFN1006-2A