| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 85 µa @ 150 v | 장착형: | 표면 마운트 | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.24 V @ 3 a | 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 시리즈: | 자동차, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | Vr, F에 있는 전기 용량: | 150pF @ 4V, 1MHz | 공급자의 장치 패키지: | DO-219AB (SMF) | Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 기술: | 숏트키 | 작동 온도 - 결합: | -40°C ~ 175°C | 패키지 / 케이스: | DO-219AB | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 150 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 3A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | V3FM15 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 85 µa @ 150 v | 
| 장착형: | 표면 마운트 | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.24 V @ 3 a | 
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 
| 시리즈: | 자동차, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | 
| Vr, F에 있는 전기 용량: | 150pF @ 4V, 1MHz | 
| 공급자의 장치 패키지: | DO-219AB (SMF) | 
| Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 
| 기술: | 숏트키 | 
| 작동 온도 - 결합: | -40°C ~ 175°C | 
| 패키지 / 케이스: | DO-219AB | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 150 V | 
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 3A | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | V3FM15 |