제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: R-Si 듀얼 600V 12A 250NS
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
6A |
작동 온도 - 결합: |
-65' Ｃ ~ 175' Ｃ |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.3 V @ 6 a |
패키지: |
가방 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220 |
역회복 시간 (트르): |
250 나노 초 |
Mfr: |
NTE 일렉트로닉스 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
600 Ｖ |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
600 Ｖ에 있는 10 uA |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
6A |
작동 온도 - 결합: |
-65' Ｃ ~ 175' Ｃ |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.3 V @ 6 a |
패키지: |
가방 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220 |
역회복 시간 (트르): |
250 나노 초 |
Mfr: |
NTE 일렉트로닉스 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
600 Ｖ |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
600 Ｖ에 있는 10 uA |
화면
화면
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