| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 200µA @ 650V | 장착형: | 표면 마운트 | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.7V @ 8A | 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 시리즈: | - | Vr, F에 있는 전기 용량: | 278pf @ 100MV, 1MHz | 공급자의 장치 패키지: | TO-252 (유형 WX) | Mfr: | 다이오드 인코어레이트 | 기술: | SiC (탄화규소) 숏트키 | 작동 온도 - 결합: | -55°C ~ 175°C | 패키지 / 케이스: | TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 650 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 8A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 200µA @ 650V | 
| 장착형: | 표면 마운트 | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.7V @ 8A | 
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 
| 시리즈: | - | 
| Vr, F에 있는 전기 용량: | 278pf @ 100MV, 1MHz | 
| 공급자의 장치 패키지: | TO-252 (유형 WX) | 
| Mfr: | 다이오드 인코어레이트 | 
| 기술: | SiC (탄화규소) 숏트키 | 
| 작동 온도 - 결합: | -55°C ~ 175°C | 
| 패키지 / 케이스: | TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 650 V | 
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 8A | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |