| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 10A | 작동 온도 - 결합: | -55°C ~ 175°C | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 5A | 패키지: | 튜브 | 시리즈: | 자동차, AEC-Q101 | 다이오드 구조: | 1 쌍 공통 양극 | 공급자의 장치 패키지: | ITO-220AB | 역회복 시간 (트르): | 20 나노 초 | Mfr: | 대만 세미컨덕터사 | 기술: | 기준 | 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 400 V | 장착형: | 구멍을 통해 | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | UGF1006 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 400V에서 10μA | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 10A | 
| 작동 온도 - 결합: | -55°C ~ 175°C | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 5A | 
| 패키지: | 튜브 | 
| 시리즈: | 자동차, AEC-Q101 | 
| 다이오드 구조: | 1 쌍 공통 양극 | 
| 공급자의 장치 패키지: | ITO-220AB | 
| 역회복 시간 (트르): | 20 나노 초 | 
| Mfr: | 대만 세미컨덕터사 | 
| 기술: | 기준 | 
| 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 400 V | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | UGF1006 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 400V에서 10μA |