분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
15A |
작동 온도 - 결합: |
-40' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
800mV @ 15A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
TMBS® |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
ITO-220AB |
Mfr: |
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
100 V |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
VF30100 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
100V에서 500μA |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
15A |
작동 온도 - 결합: |
-40' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
800mV @ 15A |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
TMBS® |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
ITO-220AB |
Mfr: |
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
100 V |
장착형: |
구멍을 통해 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
VF30100 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
100V에서 500μA |