제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 파워 다이오드 디스크-소닉 SOT-227B
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
25A |
작동 온도 - 결합: |
- |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
2.03 V @ 25 a |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
DHG 50x650NA |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
SOT-227B |
역회복 시간 (트르): |
35 나노 초 |
Mfr: |
익시스 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
SOT-227-4, 미니브로크 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 Ｖ |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
DHG50 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
25A |
작동 온도 - 결합: |
- |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
2.03 V @ 25 a |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
DHG 50x650NA |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
SOT-227B |
역회복 시간 (트르): |
35 나노 초 |
Mfr: |
익시스 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
SOT-227-4, 미니브로크 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 Ｖ |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
DHG50 |
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