분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
60V에서 300μA |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
580mV @ 3A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
102pf @ 10V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
M-FLAT (2.4x3.8) |
Mfr: |
토시바 반도체 및 저장장치 |
기술: |
숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-40' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
SOD-128 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
60 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
3A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
CMS15 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
60V에서 300μA |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
580mV @ 3A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
102pf @ 10V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
M-FLAT (2.4x3.8) |
Mfr: |
토시바 반도체 및 저장장치 |
기술: |
숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-40' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
SOD-128 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
60 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
3A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
CMS15 |