| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 제품 상태: | 구식 | 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 20A | 작동 온도 - 결합: | -40' C ~ 150' C | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 760 mV @ 10 a | 패키지: | 대용품 | 시리즈: | - | 다이오드 구조: | 1 쌍 공통 캐소드 | 공급자의 장치 패키지: | TO-220F-3 | Mfr: | 산켄 일렉트릭 미국 | 기술: | 숏트키 | 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 80 V | 장착형: | 구멍을 통해 | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 80V에서 200μA | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 | 
| 제품 상태: | 구식 | 
| 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 20A | 
| 작동 온도 - 결합: | -40' C ~ 150' C | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 760 mV @ 10 a | 
| 패키지: | 대용품 | 
| 시리즈: | - | 
| 다이오드 구조: | 1 쌍 공통 캐소드 | 
| 공급자의 장치 패키지: | TO-220F-3 | 
| Mfr: | 산켄 일렉트릭 미국 | 
| 기술: | 숏트키 | 
| 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 80 V | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 80V에서 200μA |