| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100 V에 있는 5 uA | 장착형: | 구멍을 통해 | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1 v @ 3.5 a | 패키지: | 테이프 & 릴 (TR)
컷 테이프 (CT) | 시리즈: | - | Vr, F에 있는 전기 용량: | 20pF @ 4V, 1MHz | 공급자의 장치 패키지: | DO-201AD | 역회복 시간 (트르): | 20 나노 초 | Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 기술: | 기준 | 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 패키지 / 케이스: | 굴대인 DO-201AD | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 100 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 3.5A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | SBYV28 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100 V에 있는 5 uA | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1 v @ 3.5 a | 
| 패키지: | 테이프 & 릴 (TR)
컷 테이프 (CT) | 
| 시리즈: | - | 
| Vr, F에 있는 전기 용량: | 20pF @ 4V, 1MHz | 
| 공급자의 장치 패키지: | DO-201AD | 
| 역회복 시간 (트르): | 20 나노 초 | 
| Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 
| 기술: | 기준 | 
| 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 
| 패키지 / 케이스: | 굴대인 DO-201AD | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 100 V | 
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 3.5A | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | SBYV28 |