제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 Gen PURP 200V 3A SO-8FL
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
3A |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1V @ 3A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
자동차, AEC-Q101 |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
이원적인 8-DFN (5x6)는 (SO8FL-Dual) 약해집니다 |
역회복 시간 (트르): |
25 나노 초 |
Mfr: |
1개 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
8-PowerTDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
200 Ｖ |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
NHP620 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
500nA @ 200V |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
3A |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1V @ 3A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
자동차, AEC-Q101 |
다이오드 구조: |
독립적인 2 |
공급자의 장치 패키지: |
이원적인 8-DFN (5x6)는 (SO8FL-Dual) 약해집니다 |
역회복 시간 (트르): |
25 나노 초 |
Mfr: |
1개 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
8-PowerTDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
200 Ｖ |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
NHP620 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
500nA @ 200V |
화면
화면
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