분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
80A |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
600 mV @ 80 a |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-249AB |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-249AB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
30V |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
30V에서 1mA |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
80A |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
600 mV @ 80 a |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
TO-249AB |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
TO-249AB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
30V |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
30V에서 1mA |