제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 Schottky 30V 200a 3 타워
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
200A |
작동 온도 - 결합: |
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
580 mV @ 200 a |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 양극 |
공급자의 장치 패키지: |
3 개의 타워 |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
3 개의 타워 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
30V |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
3mA @ 30V |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 다이오드 어레이 |
제품 상태: |
구식 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
200A |
작동 온도 - 결합: |
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
580 mV @ 200 a |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 양극 |
공급자의 장치 패키지: |
3 개의 타워 |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
숏트키 |
패키지 / 케이스: |
3 개의 타워 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
30V |
장착형: |
섀시 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
3mA @ 30V |
화면
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