제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 GEN PURP 800V 1A DO213AB
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5μA @ 800V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.3V @ 1A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
슈퍼정류기® |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
4V, 1MHz에 있는 15pF |
공급자의 장치 패키지: |
DO-213AB |
역회복 시간 (트르): |
500 나노 초 |
Mfr: |
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-65' Ｃ ~ 175' Ｃ |
패키지 / 케이스: |
DO-213AB, MELF(유리) |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
800 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
RGL41 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5μA @ 800V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.3V @ 1A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
슈퍼정류기® |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
4V, 1MHz에 있는 15pF |
공급자의 장치 패키지: |
DO-213AB |
역회복 시간 (트르): |
500 나노 초 |
Mfr: |
비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-65' Ｃ ~ 175' Ｃ |
패키지 / 케이스: |
DO-213AB, MELF(유리) |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
800 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
RGL41 |
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