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US1D R3G

제품 상세정보

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설명: 다이오드 젠 퍼프 200V 1A DO214AC

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
디지키에 중지됩니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
5μA @ 200V
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1 A에 있는 1 V
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
-
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 15pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AC (SMA)
역회복 시간 (트르):
50 나노 초
Mfr:
대만 세미컨덕터사
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AC, SMA
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
1A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
US1D
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
디지키에 중지됩니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
5μA @ 200V
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1 A에 있는 1 V
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
-
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 15pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AC (SMA)
역회복 시간 (트르):
50 나노 초
Mfr:
대만 세미컨덕터사
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AC, SMA
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
1A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
US1D
US1D R3G
다이오드 200V 1A 표면 마운트 DO-214AC (SMA)
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