분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
25 µa @ 120 v |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
10A에서 800mV |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
608pf @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
TO-277-3 |
역회복 시간 (트르): |
16.7ns |
Mfr: |
1개 |
기술: |
숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
TO-277, 3-PowerDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
120 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
10A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
FSV10120 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
25 µa @ 120 v |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
10A에서 800mV |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
608pf @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
TO-277-3 |
역회복 시간 (트르): |
16.7ns |
Mfr: |
1개 |
기술: |
숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
TO-277, 3-PowerDFN |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
120 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
10A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
FSV10120 |