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ER1QG-TP

제품 상세정보

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설명: 인터페이스

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강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
1200V에서 5μA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1.85 V @ 1 a
패키지:
대용품
시리즈:
-
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 45pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AA, HSMB
역회복 시간 (트르):
150 나노 초
Mfr:
마이크로 커머셜 코
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-50' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AA, SMB
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
1200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
1A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
ER1Q
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
1200V에서 5μA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
1.85 V @ 1 a
패키지:
대용품
시리즈:
-
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 45pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AA, HSMB
역회복 시간 (트르):
150 나노 초
Mfr:
마이크로 커머셜 코
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-50' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AA, SMB
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
1200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
1A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
ER1Q
ER1QG-TP
다이오드 1200 V 1A 표면 장착기 DO-214AA, HSMB
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