제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 SIL 탄화물 650V 12A 5dfn
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
60μA @ 650V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.7 V @ 12 a |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
380pf @ 1v, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
5-DFN (8x8) |
역회복 시간 (트르): |
0ns |
Mfr: |
위언 반도체 |
기술: |
SiC (탄화규소) 숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
175' Ｃ |
패키지 / 케이스: |
4-VSFN 노출 패드 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
12A |
속도: |
어떤 복구 Time > 500mA (Io) |
기본 제품 번호: |
WNSC2 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
60μA @ 650V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.7 V @ 12 a |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
380pf @ 1v, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
5-DFN (8x8) |
역회복 시간 (트르): |
0ns |
Mfr: |
위언 반도체 |
기술: |
SiC (탄화규소) 숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
175' Ｃ |
패키지 / 케이스: |
4-VSFN 노출 패드 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
650 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
12A |
속도: |
어떤 복구 Time > 500mA (Io) |
기본 제품 번호: |
WNSC2 |
화면
화면
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