분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
250μA @ 1200V |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
2.75 V @ 30 a |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
듀 |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220AB |
역회복 시간 (트르): |
100 나노 초 |
Mfr: |
리틀푸스 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
1200 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
30A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
DUR30120 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
250μA @ 1200V |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
2.75 V @ 30 a |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
듀 |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220AB |
역회복 시간 (트르): |
100 나노 초 |
Mfr: |
리틀푸스 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
1200 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
30A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
DUR30120 |