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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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ES2DAF

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: 다이오드 Gen PURP 200V 2A DO214AD

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
200V에서 1μA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
950mV @ 2A
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 30pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AD (SMAF)
역회복 시간 (트르):
35 나노 초
Mfr:
1개
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AD, SMAF
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
2A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
ES2D
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
경향 - Vr에 있는 역누출:
200V에서 1μA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
950mV @ 2A
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Vr, F에 있는 전기 용량:
4V, 1MHz에 있는 30pF
공급자의 장치 패키지:
DO-214AD (SMAF)
역회복 시간 (트르):
35 나노 초
Mfr:
1개
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-55' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
DO-214AD, SMAF
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
200 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
2A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
ES2D
ES2DAF
다이오드 200V 2A 표면 마운트 DO-214AD (SMAF)