| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50µA @ 1200V | 장착형: | 구멍을 통해 | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 2.26 V @ 30 a | 패키지: | 튜브 | 시리즈: | - | Vr, F에 있는 전기 용량: | - | 공급자의 장치 패키지: | TO-247 | 역회복 시간 (트르): | 200 나노 초 | Mfr: | 익시스 | 기술: | 기준 | 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 패키지 / 케이스: | TO-247-2 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 1200 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 30A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | DHG30 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50µA @ 1200V | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 2.26 V @ 30 a | 
| 패키지: | 튜브 | 
| 시리즈: | - | 
| Vr, F에 있는 전기 용량: | - | 
| 공급자의 장치 패키지: | TO-247 | 
| 역회복 시간 (트르): | 200 나노 초 | 
| Mfr: | 익시스 | 
| 기술: | 기준 | 
| 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 
| 패키지 / 케이스: | TO-247-2 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 1200 V | 
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 30A | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | DHG30 |