분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 800 V |
장착형: |
표면 마운트 |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.65 V @ 2 A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
Series: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
20pF @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
SMB/DO-214AA |
역회복 시간 (트르): |
75 나노 초 |
Mfr: |
컴칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
DO-214AA, SMB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
800 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
2A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
US2K |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 800 V |
장착형: |
표면 마운트 |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.65 V @ 2 A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
Series: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
20pF @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
SMB/DO-214AA |
역회복 시간 (트르): |
75 나노 초 |
Mfr: |
컴칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
DO-214AA, SMB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
800 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
2A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
US2K |