분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 200 V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1V @ 2A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
20pF @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
SMB/DO-214AA |
역회복 시간 (트르): |
50 나노 초 |
Mfr: |
Comchip Technology |
기술: |
기준 |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 150°C |
패키지 / 케이스: |
DO-214AA, SMB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
200 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
2A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
US2D |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 200 V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1V @ 2A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
- |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
20pF @ 4V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
SMB/DO-214AA |
역회복 시간 (트르): |
50 나노 초 |
Mfr: |
Comchip Technology |
기술: |
기준 |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 150°C |
패키지 / 케이스: |
DO-214AA, SMB |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
200 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
2A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
US2D |