제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 SIC 3.3KV 300MA to220FP
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5 µa @ 3300 v |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.7 V @ 300 MA |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
Sic Schottky MPS ™ |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
42pf @ 1v, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220FP |
역회복 시간 (트르): |
0ns |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
SiC (탄화규소) 숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
패키지 / 케이스: |
TO-220-2 전신찜질 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
3300V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
300mA |
속도: |
어떤 복구 Time > 500mA (Io) |
기본 제품 번호: |
GAP3SLT33 |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
5 µa @ 3300 v |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.7 V @ 300 MA |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
Sic Schottky MPS ™ |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
42pf @ 1v, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
TO-220FP |
역회복 시간 (트르): |
0ns |
Mfr: |
GeneSiC 반도체 |
기술: |
SiC (탄화규소) 숏트키 |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 175°C |
패키지 / 케이스: |
TO-220-2 전신찜질 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
3300V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
300mA |
속도: |
어떤 복구 Time > 500mA (Io) |
기본 제품 번호: |
GAP3SLT33 |
화면
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