| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 제품 상태: | 액티브 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 150 µa @ 150 v | 장착형: | 구멍을 통해 | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 10A | 패키지: | 튜브 | 시리즈: | TMBS® | Vr, F에 있는 전기 용량: | - | 공급자의 장치 패키지: | ITO-220AB | Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 기술: | 숏트키 | 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 150 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 10A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 기본 제품 번호: | VF10150 | 
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 | 
| 제품 상태: | 액티브 | 
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 150 µa @ 150 v | 
| 장착형: | 구멍을 통해 | 
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 10A | 
| 패키지: | 튜브 | 
| 시리즈: | TMBS® | 
| Vr, F에 있는 전기 용량: | - | 
| 공급자의 장치 패키지: | ITO-220AB | 
| Mfr: | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 | 
| 기술: | 숏트키 | 
| 작동 온도 - 결합: | -55' C ~ 150' C | 
| 패키지 / 케이스: | TO-220-3 전신찜질, 고립된 탭 | 
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 150 V | 
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 10A | 
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 
| 기본 제품 번호: | VF10150 |