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JAN1N5804US/TR

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: 다이오드 GEN PURP 100V 2.5A D-5A

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
100 V에 있는 1 uA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
975mV @ 2.5A
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
군용, MIL-PRF-19500/477
Vr, F에 있는 전기 용량:
25pF @ 10V, 1MHz
공급자의 장치 패키지:
D-5A
역회복 시간 (트르):
25 나노 초
Mfr:
마이크로칩 기술
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-65' C ~ 175' C
패키지 / 케이스:
SQ-MELF, A
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
100 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
2.5A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
100 V에 있는 1 uA
장착형:
표면 마운트
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
975mV @ 2.5A
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
군용, MIL-PRF-19500/477
Vr, F에 있는 전기 용량:
25pF @ 10V, 1MHz
공급자의 장치 패키지:
D-5A
역회복 시간 (트르):
25 나노 초
Mfr:
마이크로칩 기술
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-65' C ~ 175' C
패키지 / 케이스:
SQ-MELF, A
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
100 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
2.5A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
JAN1N5804US/TR
다이오드 100V 2.5A 표면 장착 D-5A