분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
2μA @ 440V |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.35V @ 2A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
군사, MIL-PRF-19500/590 |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
40pF @ 10V, 1MHz |
역회복 시간 (트르): |
30 나노 초 |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-65' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
E, 축 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
440 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1.75A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
분류: |
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
2μA @ 440V |
장착형: |
구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.35V @ 2A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
군사, MIL-PRF-19500/590 |
Vr, F에 있는 전기 용량: |
40pF @ 10V, 1MHz |
역회복 시간 (트르): |
30 나노 초 |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-65' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
E, 축 |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
440 V |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1.75A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |