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JANTXV1N6075

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: 다이오드 GEN PURP 150V 850MA A-PAK

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
150V에서 1μA
장착형:
구멍을 통해
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
20.04V @ 9.4A
패키지:
대용품
시리즈:
군용, MIL-PRF-19500/503
Vr, F에 있는 전기 용량:
-
공급자의 장치 패키지:
한, 굴대입니다
역회복 시간 (트르):
30 나노 초
Mfr:
마이크로칩 기술
기술:
기준
작동 온도 - 결합:
-65°C ~ 155°C
패키지 / 케이스:
한, 굴대입니다
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
150 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
850mA
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
1N6075
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
150V에서 1μA
장착형:
구멍을 통해
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
20.04V @ 9.4A
패키지:
대용품
시리즈:
군용, MIL-PRF-19500/503
Vr, F에 있는 전기 용량:
-
공급자의 장치 패키지:
한, 굴대입니다
역회복 시간 (트르):
30 나노 초
Mfr:
마이크로칩 기술
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-65°C ~ 155°C
패키지 / 케이스:
한, 굴대입니다
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
150 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
850mA
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
1N6075
JANTXV1N6075
다이오드 150V 850mA A 구멍을 통해, 축
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