제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 GEN PURP UB
분류: |
불연속 반도체 ProductsDiodesRectifiersDiode 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
300mA |
작동 온도 - 결합: |
-65' C ~ 175' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.2V @ 100mA |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
군, MIL-PRF-19500/578 |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
UB |
역회복 시간 (트르): |
5 나노 초 |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
어떤 리드인 3-SMD |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
75 V |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
1N6642 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
75V에서 500nA |
분류: |
불연속 반도체 ProductsDiodesRectifiersDiode 어레이 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): |
300mA |
작동 온도 - 결합: |
-65' C ~ 175' C |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
1.2V @ 100mA |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
군, MIL-PRF-19500/578 |
다이오드 구조: |
1 쌍 공통 캐소드 |
공급자의 장치 패키지: |
UB |
역회복 시간 (트르): |
5 나노 초 |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
패키지 / 케이스: |
어떤 리드인 3-SMD |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
75 V |
장착형: |
표면 마운트 |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
기본 제품 번호: |
1N6642 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
75V에서 500nA |
다이오드 배열 1 쌍 일반 카토드 75 V 300mA 표면 마운트 3-SMD, 납 없는