제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 다이오드 GEN PURP 100V 1A DO213AB
분류: |
이산 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
100μA @ 100V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
690mV @ 1A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
- |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
70pF @ 5V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
DO-213AB (MELF, LL41) |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 125°C |
패키지 / 케이스: |
DO-213AB, MELF(유리) |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
100 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
분류: |
이산 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
제품 상태: |
액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: |
100μA @ 100V |
장착형: |
표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): |
690mV @ 1A |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
- |
Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: |
70pF @ 5V, 1MHz |
공급자의 장치 패키지: |
DO-213AB (MELF, LL41) |
Mfr: |
마이크로칩 기술 |
기술: |
기준 |
작동 온도 - 결합: |
-55°C ~ 125°C |
패키지 / 케이스: |
DO-213AB, MELF(유리) |
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): |
100 Ｖ |
경향 - 평균 정류된 (Io): |
1A |
속도: |
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
다이오드 100 V 1A 표면 장착기 DO-213AB (MELF, LL41)
화면
화면
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