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(전자 부품 IC 칩 통합 회로 IC) SI2301CDS-T1-GE3

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제품 설명

강조하다:

시리즈:	SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3	설명:	SI2301CDS-T1-GE3
사업자부 개수:	SI2301CDS-T1-GE3	종류:	마이크로컨트롤러
제조업자:	비셰이	날짜 코드를 제조하기:	TSSOP-20
모듈 / 보드형:	표준	핵심 프로세서:	표준, ARMR Cor texR-M4
공동 프로세서:	표준	속도:	표준
순간 사이즈:	표준	RAM 사이즈:	표준
접속구의 형태:	표준	사이즈 / 차원:	표준
패키징:	표준	연결성:	캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, 캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신
주변 기기:	표준	입출력의 수:	표준
프로그램 메모리 규모:	표준	프로그램 메모리 종류:	표준
EEPROM 사이즈:	표준	전압 - 공급 (Vcc/Vdd):	표준
데이터 변환기:	표준	오실레이터형:	표준
제어기 시리즈:	표준	인터페이스:	표준
전압 - 공급:	표준	패키지 / 케이스:	표준
핵심 / 버스 폭의 수:	표준	그래픽 가속:	표준
디스플레이와 인터페이스 제어기들:	표준	USB:	표준
전압 - 입출력:	표준	크로스 레퍼런스:	표준
적용:	비셰이	코어 크기:	나에게 물어보세요
제품 종류:	모터 / 모션 / 점화 컨트롤러 및 드라이버	주파수:	168MHz
수명 상태:	활성(마지막 업데이트: 7개월 전)	장착형:	표면 마운트
지나서 운반하기:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트	보증:	1년
항구:	젠젠

시리즈:	SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3
설명:	SI2301CDS-T1-GE3
사업자부 개수:	SI2301CDS-T1-GE3
종류:	마이크로컨트롤러
제조업자:	비셰이
날짜 코드를 제조하기:	TSSOP-20
모듈 / 보드형:	표준
핵심 프로세서:	표준, ARMR Cor texR-M4
공동 프로세서:	표준
속도:	표준
순간 사이즈:	표준
RAM 사이즈:	표준
접속구의 형태:	표준
사이즈 / 차원:	표준
패키징:	표준
연결성:	캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, 캔뷔스, DCMI, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신
주변 기기:	표준
입출력의 수:	표준
프로그램 메모리 규모:	표준
프로그램 메모리 종류:	표준
EEPROM 사이즈:	표준
전압 - 공급 (Vcc/Vdd):	표준
데이터 변환기:	표준
오실레이터형:	표준
제어기 시리즈:	표준
인터페이스:	표준
전압 - 공급:	표준
패키지 / 케이스:	표준
핵심 / 버스 폭의 수:	표준
그래픽 가속:	표준
디스플레이와 인터페이스 제어기들:	표준
USB:	표준
전압 - 입출력:	표준
크로스 레퍼런스:	표준
적용:	비셰이
코어 크기:	나에게 물어보세요
제품 종류:	모터 / 모션 / 점화 컨트롤러 및 드라이버
주파수:	168MHz
수명 상태:	활성(마지막 업데이트: 7개월 전)
장착형:	표면 마운트
지나서 운반하기:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트
보증:	1년
항구:	젠젠

(전자 부품 IC 칩 통합 회로 IC) SI2301CDS-T1-GE3

제품 매개 변수

MT41K256M16TW-107 IT:P

Digi-Key 부품 번호
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 스필 (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - 절단 테이프 (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업자
비샤이 실리코닉스
제조사 제품 번호
SI2301CDS-T1-GE3
설명
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
제조업체의 표준 납품 시간
99주
상세 설명
P 채널 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 표면 마운트 SOT-23-3 (TO-236)

제조사:	비샤이
제품 카테고리	MOSFET
RoHS:	세부 사항
기술:	네
장착 방식:	SMD/SMT
패키지 / 케이스:	SOT-23-3
트랜지스터 극성:	P 채널
채널 수:	1 채널
Vds - 배수원 분사 전압:	20V
id - 연속 배수 전류:	3.1 A
Rds ON - 배수원 저항:	112mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8V, + 8V
Vgs th - 포트 소스 문 전압:	1V
Qg - 게이트 충전:	3.3 nC
최소 작동 온도:	- 55C
최대 작동 온도:	+ 150C
Pd - 전력 분산:	1.6W
채널 모드:	강화
상표명:	트렌치FET
시리즈:	SI2
포장:	릴
포장:	컷 테이프
포장:	마우스 릴
브랜드:	비샤이 반도체
구성:	싱글
가을 시간:	10 ns
제품 종류:	MOSFET
상승 시간:	35 ns
공장 포장량:	3000
하위 분류:	MOSFET
트랜지스터 타입:	1 P 채널
정전 지연 시간:	30 ns
일반적인 켜기 지연 시간:	11 ns
부분 # 위명:	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
단위 무게:	0.000282 온스