MFR.Part #K4B4G1646E -BYMA
JLCPCB 부분 #C500275
PackageFBGA-96
DescriptionFBGA-96 DDR SDRAM ROHS
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소스주라이크피크비
소스주라이크피크비
집합 형태 SMT 집회
CAD 모델플크비 발자국 또는 기호
제품 상세정보
원래 장소: 한국
브랜드 이름: SAMSUNG
모델 번호: K4B4G1646E-BYMA
지불과 운송 용어
최소 주문 수량: 1
가격: 0.98-5.68/PC
포장 세부 사항: STANDRAD
지불 조건: 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 주당 10000PCS
상품 카테고리: |
삼성 |
시리즈: |
K4B4G1646E-BYMA |
증가하는 방식: |
SMD / SMT |
패키지 / 건: |
TQFP-64 |
핵심: |
AVR |
프로그램 메모리 규모: |
16 kB |
데이터 버스 폭: |
8비트 |
ADC 결의안: |
10개 비트 |
최대 클록 주파수: |
16 마하즈 |
I/Os의 수: |
54 입출력 |
데이터 램 크기: |
1 kB |
공급 전압 - 민: |
1.8 V |
공급 전압 - 맥스: |
5.5 V |
최소 동작 온도: |
- 40 C |
최대 작업 온도: |
+ 85 C |
패키징: |
마우스릴 |
브랜드: |
삼성 |
데이터 램 종류: |
SRAM |
데이터 롬 크기: |
512 비 |
상품 카테고리: |
삼성 |
시리즈: |
K4B4G1646E-BYMA |
증가하는 방식: |
SMD / SMT |
패키지 / 건: |
TQFP-64 |
핵심: |
AVR |
프로그램 메모리 규모: |
16 kB |
데이터 버스 폭: |
8비트 |
ADC 결의안: |
10개 비트 |
최대 클록 주파수: |
16 마하즈 |
I/Os의 수: |
54 입출력 |
데이터 램 크기: |
1 kB |
공급 전압 - 민: |
1.8 V |
공급 전압 - 맥스: |
5.5 V |
최소 동작 온도: |
- 40 C |
최대 작업 온도: |
+ 85 C |
패키징: |
마우스릴 |
브랜드: |
삼성 |
데이터 램 종류: |
SRAM |
데이터 롬 크기: |
512 비 |
DDR SDRAM K4B4G1646E-BYMA